გაგრილების მოწყობილობები, Peltier 2006-10-27 17:45:35

მშენებლობა და რეკონსტრუქცია.

გაგრილების მოწყობილობები, Peltier

2006-10-27 17:45:35

გამოსავალი ერთი პრობლემა, როგორც წესი, begets სხვა. იმისათვის, რომ მივაღწიოთ მაქსიმალურ შესრულების ფარგლებში არსებული არქიტექტორები და ტექნოლოგიები, დეველოპერები გაზრდის საათის სიჩქარე პროცესორები, რომელიც ამ წელს უნდა მიაღწიოს ღირებულება 2 GHz. სიმძლავრე ასეთი ჩიპი, არის ახლოს 80 W, და წინა პლანზე არ არის პრობლემა გაგრილების. სისტემები, ჰაერის გაგრილებაზე გახდეს არაეფექტური მაშინაც კი, თუ თქვენ გაზარდოს სიმძლავრე და რაოდენობა გულშემატკივარი. ამიტომ, მრეწველობის, სულ უფრო მეტად ორიენტირებულია ალტერნატიული გამოსავალი. მათ შორის ყველაზე პერსპექტიული არიან მოწყობილობების გაგრილების მოვლენაა Peltier. როგორც თქვენ გაზრდის საათის სიჩქარე პროცესორები უფრო მწვავე პრობლემა გაგრილების. პირველი, როგორც deployemnt იყო მარტივი, რადიატორები, შემდეგ კი დასძინა გულშემატკივარი. ასეთი მოწყობილობები ენის ტექნიკური მაგ მოუწოდა ქულერები (ქულერი), რომელიც ჩვენ სიმარტივის, და გამოიყენებს მომავალში. იგი მოვიდა სისტემების წყლის გაგრილების, რომელიც, გარდა იმისა, რომ მაღალ ფასად, იყო რთული აწარმოოს. მაგრამ, ალბათ, ყველაზე დახვეწილი და ტექნოლოგიურად გამოსავალი არის გამოყენების გაგრილების პროცესორები და ეფექტები (ან ეფექტი) Peltier. Peltier ეფექტი ეკუთვნის კლასის თერმოელექტრული მოვლენებზე, პირველი რომელიც იყო აღმოაჩინეს, 1821, რომ გერმანელი ფიზიკოსი Seebeck. ეს არის electromotive ძალა, დახურული ელექტრული სქემა შედგება თანამიმდევრულად',, ერთიანი განსხვავებული დირიჟორები (ან semiconductors), თუ იმ ადგილებში გადასასვლელების მხარდაჭერა სხვადასხვა ტემპერატურის დროს. ეს არის ფართოდ ცნობილი thermoelectricity. თავის დროზე, რა თქმა უნდა, იყო კიდევ განსაკუთრებული საქშენები ნავთობის ნათურა ერთად ბატარეის thermocouples, გააკეთა ასეთი სისტემის პირდაპირი მიმდინარე გენერატორი. Peltier ეფექტი არის გრძნობა საპირისპირო თერმოელექტრული. ეს იყო გახსნილი, საინტერესო ფრანგული watchmaker ჟან-შარლ Peltier 1834, როცა ქვეშ',, ერთიანი ზოლები ბისმუთი ორი სპილენძის მავთული, რომ ძალაუფლების წყარო. მან აღნიშნა, რომ დროთა ძალა სპილენძის, რომ ბისმუთი ადგილი junction თბება, და, როდესაც მიმდინარე გადის ბისმუთი სპილენძის junction დამთავრდება. გავიხსენოთ, რომ განსხვავებით dzhoulevo სითბო, რომელიც პროპორციულია მოედანზე მიმდინარე, სითბოს Peltier პროპორციული პირველი ხარისხის და მიმდინარე ცვლილებების ნიშანი, როდესაც შეცვლის მიმართულებით, უკანასკნელი. ყველა თერმოელექტრული მოვლენებზე მიიღოს სწორი ახსნა მხოლოდ საფუძველზე ჯგუფი თეორია მყარი. ისევე როგორც ყველა თერმოელექტრული მოვლენებზე, Peltier ეფექტი ვლინდება განსაკუთრებით ჯაჭვების შედგება semiconductors e (n-ტიპის) და ხვრელი (p ტიპის) ტიპის გამტარობის. განვიხილოთ საკონტაქტო ასეთი semiconductors. ვივარაუდოთ, რომ ელექტრული ველის აქვს ისეთი მიმართულებით, რომ მიმდინარე მოდის p-ტიპის ნახევარგამტარული e (გავიხსენოთ, რომ ამ მიმართულებით მიმდინარე ნაკადის არის საპირისპირო მიმართულებით მოძრაობა, ელექტრონები). მაშინ ელექტრონები n ტიპის ნახევარგამტარული და ხვრელების ნახევარგამტარული p-ტიპის გადავა ერთმანეთის მიმართ. ელექტრონი ჩატარება ჯგუფი ელექტრონული ნახევარგამტარული გავლის მეშვეობით ინტერფეისი იღებს შევსებული valence ზონაში ხვრელი ნახევარგამტარული და არ არის ხვრელი. შედეგად ასეთი recombination ენერგეტიკული გაათავისუფლეს, რომელიც არის გამოკვეთილი საკონტაქტო სახით სითბოს. იმ შემთხვევაში, როცა მიმდინარე ნაკადების საზღვარზე ელექტრონული ნახევარგამტარული რომ drsavono, რომ ელექტრონები in electron და ხვრელი drkumu semiconductors გადავა საპირისპირო მიმართულებით. Holes, გაშვებული საწყისი საზღვრის მონაკვეთზე იქნება replenished მიერ ფორმირების ახალი წყვილი, როდესაც electron გადასვლები შევსებული valence p-ტიპის ნახევარგამტარული ჩატარების ჯგუფი. ფორმირების ასეთი წყვილი არ არის საჭირო ძალა, რომელიც მოდის თერმული ვიბრაცია lattice. შედეგად, საკონტაქტო სითბო იქნება შეიწოვება, და საკონტაქტო გაგრილებას ქვემოთ. ზოგჯერ გაგრილების მოწყობილობა Peltier მოუწოდა თერმოელექტრული თბური ტუმბოს, რომელიც ტუმბოები გათბობის ერთ მხარეს, სხვა. სტრუქტურულად, ქულერი შედგება თანმიმდევრობა Peltier ელემენტები - წყვილი semiconductors p-და n-ტიპის, რომლებიც განთავსებული შორის ორი კერამიკული ფილები. როდესაც ელექტრო მიმდინარე მიედინება ჩართვა, ერთ მხარეს დამთავრდება, და მეორე თბება. ხშირად ტემპერატურის სხვაობა ამ პარტიების 65 C. თუმცა, არაფერი მოდის უფასოდ. თბური ტუმბო შეიძლება მოიხმარენ, ძალაუფლება 60 W და მისი ეფექტური მუშაობა მოითხოვს, მუდმივი დენის წყარო, კარგი ხარისხის, რომელიც უზრუნველყოფს მიმდინარე up to 14 და ძაბვის 12 საუკუნეში, რა თქმა უნდა, რომელიც გროვდება ცხელ მხარეს ქულერი სითბოს საჭირო dissipate. როგორც წესი, გამოიყენოთ კომბინაცია გამაგრილებელი რადიატორის და გულშემატკივარი. თხევადი გაგრილების უკეთესია, მაგრამ უფრო რთული განხორციელება. ყველა მისი ეფექტურობა Peltier მოწყობილობა (ნახ. 3 და 4) აქვს რიგი ნაკლოვანებები. პირველ რიგში, თუ გულშემატკივართა ვერ შედეგები იქნება ბევრად უფრო მძიმე, ვიდრე იმ შემთხვევაში, ჩვეულებრივი ქულერი. აქედან გამომდინარე, ტემპერატურის სენსორი. გარდა ამისა, სისტემა არის გამოყოფილი დამატებითი სითბოს, რომელიც შეიძლება უარყოფითად იმოქმედოს სამუშაოს სხვა ტემპერატურის მგრძნობიარე მოწყობილობები, მაგალითად, მყარ დისკს. ამიტომ, აუცილებელია, რათა უზრუნველყოს კარგი გაგრილების მთელი სისტემა. შემდეგი, დავიწყოთ comp''yuter, როდესაც ისინი იწყებენ spin up მყარი დისკები, დენის მოხმარება ძალიან მაღალია. ეს იმას ნიშნავს, რომ საკმარისად ძლიერი ელექტროენერგიის მიწოდება. კარგად შემუშავებული Peltier ქულერები შედის მხოლოდ მას შემდეგ, რაც გარკვეული დროის შემდეგ სისტემის ჩატვირთვის, როდესაც პროცესორი არის თბება, რომ ტემპერატურა, რომელიც მოითხოვს სითბოს. კიდევ ერთი კონკრეტული პრობლემა არის წყლის ორთქლის კონდენსაცია. ეს იმიტომ, რომ ცივი მხარეს ქულერი აქვს ტემპერატურა დაბალია, ვიდრე გარემოს. ეს პრობლემა როგორც წესი მოგვარდება გამოყენებით ბეჭდების, რომ თავიდან ასაცილებლად ხელმისაწვდომობის ჰაერის CPU. რა თქმა უნდა, გაგრილების მოწყობილობები, Peltier სავარაუდოა, რომ იყოს ვარგისი მასობრივი მოხმარება. ისინი საკმაოდ ძვირია და მოითხოვს შესაბამისი ოპერაცია. დღეს საკმაოდ ინსტრუმენტი მოყვარულებს overclocking პროცესორები. თუმცა, საჭიროების შემთხვევაში, ძლიერი გაგრილების პროცესორები Peltier ქულერები არის ყველაზე ეფექტური მოწყობილობები.

წყარო: Comp'კომპიუტერული გამოკვლევა

წყარო: http://stroymart. com. ua